DTC123JET1 ONSEMI
 Виробник: ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1 - DTC123JET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 3.94 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JET1 ONSEMI
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms. 
Інші пропозиції DTC123JET1 за ціною від 4.04 грн до 4.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC123JET1 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 99000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||
| DTC123JET1 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 23092 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||
|   | DTC123JET1 | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності |