DTC123JKAT146 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.91 грн |
| 6000+ | 2.51 грн |
| 9000+ | 2.36 грн |
| 15000+ | 2.05 грн |
| 21000+ | 1.96 грн |
| 30000+ | 1.87 грн |
| 75000+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JKAT146 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DTC123JKAT146 за ціною від 2.43 грн до 17.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC123JKAT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 6370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 82228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123JKAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA |
на замовлення 5383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTC123JKA T146 | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DTC123JKAT146 | Виробник : Rohm |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |