DTC123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.31 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| 9000+ | 3.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTC123JU3HZGT106 за ціною від 3.50 грн до 22.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 12628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 0.1A 2.2kO SOT-323 |
на замовлення 17770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTC123JU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |