DTC124EET1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.33 грн |
6000+ | 2.12 грн |
9000+ | 1.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC124EET1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції DTC124EET1G за ціною від 1 грн до 14.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC124EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 60...100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 60...100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 31842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 11705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R DTC124EET1G TDTC124ee кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC124EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 267316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : Rohm Semiconductor | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 22k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 |
на замовлення 4448 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
DTC124EET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |