DTC124GU3T106 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 12.24 грн |
| 122+ | 6.65 грн |
| 500+ | 4.59 грн |
| 1000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC124GU3T106 ROHM
Description: ROHM - DTC124GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Інші пропозиції DTC124GU3T106 за ціною від 3.24 грн до 20.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC124GU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC124GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC124GU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC124GU3T106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC124GU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC124GU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC124GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 17.64 грн |
| 66+ | 12.24 грн |
| 122+ | 6.65 грн |
| 500+ | 4.59 грн |
| 1000+ | 3.73 грн |
| DTC124GU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.19 грн |
| 26+ | 11.59 грн |
| 100+ | 7.22 грн |
| 500+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 4.42 грн |
| DTC124GU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.78 грн |
| 26+ | 12.38 грн |
| 100+ | 6.70 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.42 грн |
| 3000+ | 4.00 грн |
| 6000+ | 3.24 грн |
| DTC124GU3T106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




