DTC124TU3HZGT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2389+ | 5.19 грн |
| 2500+ | 5.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC124TU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DTC124TU3HZGT106 за ціною від 3.64 грн до 27.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC124TU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC124TU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC124TU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC124TU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC124TU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|