Продукція > ROHM > DTC124XE3HZGTL
DTC124XE3HZGTL

DTC124XE3HZGTL ROHM


dtc124xe3hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.34 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC124XE3HZGTL ROHM

Description: ROHM - DTC124XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC124XE3HZGTL за ціною від 4.18 грн до 30.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.23 грн
6000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc124xe3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1673+7.28 грн
1904+6.39 грн
2000+6.12 грн
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 1673
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : ROHM dtc124xe3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC124XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.91 грн
64+13.01 грн
135+6.11 грн
500+5.34 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
18+17.20 грн
100+10.81 грн
500+7.54 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC124XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.91 грн
18+18.91 грн
100+7.71 грн
1000+6.83 грн
3000+5.14 грн
9000+4.70 грн
24000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124XE3HZGTL DTC124XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc124xe3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.