Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL

DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor

dtc143ee3hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+17.72 грн
100+11.00 грн
500+8.03 грн
1000+6.81 грн
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DTC143EE3HZGTL за ціною від 4.76 грн до 20.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc143ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+17.72 грн
1286+11.00 грн
1761+8.03 грн
2003+6.81 грн
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
24+12.46 грн
100+7.78 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL ROHM dtc143ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL ROHM dtc143ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc143ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL dtc143ee3hzgtl-e.pdf
DTC143EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
799+17.72 грн
1286+11.00 грн
1761+8.03 грн
2003+6.81 грн
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
24+12.46 грн
100+7.78 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143EE3HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL dtc143ee3hzgtl-e.pdf
DTC143EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL dtc143ee3hzgtl-e.pdf
DTC143EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTL dtc143ee3hzgtl-e.pdf
DTC143EE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.