DTC143EE3TL

DTC143EE3TL Rohm Semiconductor


dtc143ee3-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2703+4.49 грн
2783+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 2703
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC143E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTC143EE3TL за ціною від 3.26 грн до 21.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : ROHM dtc143ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.82 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1202+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 1202
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ee3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.50 грн
26+12.16 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : ROHM Semiconductor dtc143ee3-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.52 грн
28+12.55 грн
100+6.82 грн
500+5.00 грн
1000+4.70 грн
3000+3.94 грн
6000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : ROHM dtc143ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.94 грн
63+13.60 грн
100+8.50 грн
500+5.82 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ee3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TL DTC143EE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ee3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.