DTC143EET1G

DTC143EET1G ON Semiconductor


dtc143e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DTC143EET1G за ціною від 0.89 грн до 15.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6913+1.84 грн
6977+1.82 грн
9000+1.74 грн
15000+1.56 грн
21000+1.40 грн
30000+1.28 грн
75000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 6913
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.93 грн
6000+1.92 грн
9000+1.83 грн
15000+1.64 грн
21000+1.47 грн
30000+1.35 грн
75000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5155+2.46 грн
6000+2.45 грн
9000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 5155
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.53 грн
6000+2.17 грн
9000+2.04 грн
15000+1.77 грн
21000+1.68 грн
30000+1.60 грн
75000+1.40 грн
150000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI dtc143e-d.pdf Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.56 грн
9000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.64 грн
6000+2.62 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4262+2.98 грн
9000+2.69 грн
27000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 4262
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.63 грн
1500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 13573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3312+3.84 грн
5120+2.48 грн
5556+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3312
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 206580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.86 грн
44+7.52 грн
100+4.64 грн
500+3.17 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi DTC143E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 318450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.34 грн
44+8.39 грн
100+4.60 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+15.30 грн
118+7.55 грн
191+4.66 грн
500+3.63 грн
1500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G Виробник : ON-Semiconductor dtc143e-d.pdf NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k DTC143EET1G TDTC143eet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.