Продукція > ONSEMI > DTC143EM3T5G
DTC143EM3T5G

DTC143EM3T5G onsemi

dtc143e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.4 грн
16000+ 2.71 грн
24000+ 2.66 грн
56000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції DTC143EM3T5G за ціною від 2 грн до 21.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 185439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.67 грн
20+ 14.4 грн
100+ 7.02 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.82 грн
2000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G Виробник : onsemi DTC143E_D-2310912.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 306446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.73 грн
21+ 14.66 грн
100+ 5.34 грн
1000+ 3.27 грн
2500+ 2.74 грн
8000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 15
DTC143EM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTC143EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 693965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 16000
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній