DTC143TE3HZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2852+ | 4.27 грн |
| 2936+ | 4.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143TE3HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC143TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC143TE3HZGTL за ціною від 3.74 грн до 30.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC143TE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC143TE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC143TE3HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC143TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC143TE3HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC143TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC143TE3HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 5898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC143TE3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|