DTC143XE3HZGTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.54 грн |
| 500+ | 5.38 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143XE3HZGTL ROHM
Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Інші пропозиції DTC143XE3HZGTL за ціною від 3.59 грн до 29.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC143XE3HZGTL | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
на замовлення 5742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC143XE3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC143XE3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC143XE3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DTC143XE3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DTC143XE3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 215 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DTC143XE3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1283 шт В кошику од. на суму грн. |
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 22.15 грн |
| 24+ | 13.42 грн |
| 100+ | 7.32 грн |
| 500+ | 5.38 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 3000+ | 4.76 грн |
| 6000+ | 3.59 грн |
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 22.15 грн |
| 60+ | 13.61 грн |
| 100+ | 8.54 грн |
| 500+ | 5.38 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.51 грн |
| 15+ | 19.97 грн |
| 100+ | 10.07 грн |
| 500+ | 7.71 грн |
| 1000+ | 5.72 грн |
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC143XE3HZGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)