Продукція > ROHM > DTC143XE3TL
DTC143XE3TL

DTC143XE3TL ROHM


dtc143xe3-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143X Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143XE3TL ROHM

Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC143X Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTC143XE3TL за ціною від 2.94 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1158+13.01 грн
2000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : ROHM dtc143xe3-e.pdf Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143X Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.89 грн
56+14.77 грн
100+8.34 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
26+12.18 грн
100+7.60 грн
500+5.25 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : ROHM Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.09 грн
22+15.91 грн
100+6.40 грн
1000+5.37 грн
3000+3.53 грн
9000+3.16 грн
24000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.