DTC143XE3TL

DTC143XE3TL Rohm Semiconductor


dtc143xe3e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2930+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2930
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143XE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC143X Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DTC143XE3TL за ціною від 3.44 грн до 22.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : ROHM dtc143xe3-e.pdf Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143X Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1263+13.77 грн
2000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : ROHM dtc143xe3-e.pdf Description: ROHM - DTC143XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143X Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.92 грн
70+12.93 грн
111+8.14 грн
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : ROHM Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.66 грн
28+13.26 грн
100+7.20 грн
500+5.28 грн
1000+4.64 грн
3000+4.16 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.51 грн
26+13.26 грн
100+8.27 грн
500+5.72 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143XE3TL DTC143XE3TL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.