DTC143ZET1G ON Semiconductor
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143ZET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DTC143ZET1G за ціною від 1.15 грн до 12.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 14322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G Код товару: 189553
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 47503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 5844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 14322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 0,1; ft, МГц = 250; hFE = 80 @ 10mA, 5V; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25; Uсe, B = 50; Опис Транзистор цифровий; Р, Вт = 0.2; Тексп, °C = -55...+150; SC-75 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 3 дні (днів) |




