DTC143ZET1G


DTC143Z-D.PDF
Код товару: 189553
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DTC143ZET1G за ціною від 1.46 грн до 39.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTC143ZET1G DTC143ZET1G onsemi DTC143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 38910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ONSEMI DTC143Z-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.01 грн
69+6.11 грн
99+4.25 грн
116+3.63 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G onsemi DTC143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 38910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.73 грн
45+6.70 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.29 грн
79+9.54 грн
87+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G onsemi DTC143Z-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G ON-Semiconductor DTC143Z-D.PDF NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G ON Semiconductor DTC143Z-D.PDF Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G On Semiconductor DTC114EET1-D.pdf TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 38910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.12 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G dtc143z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.01 грн
69+6.11 грн
99+4.25 грн
116+3.63 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 38910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.73 грн
45+6.70 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G dtc143z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.29 грн
79+9.54 грн
87+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G 2353985.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G dtc143z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G 2353985.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC143Z-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZET1G DTC114EET1-D.pdf
Виробник: On Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.