 
DTC143ZET1G ON Semiconductor
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.36 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143ZET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції DTC143ZET1G за ціною від 1.14 грн до 12.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 66000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2725 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 14322 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN | на замовлення 4377 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G Код товару: 189553 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4377 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 68794 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 1068 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 14322 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2725 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |  NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |  NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 0,1; ft, МГц = 250; hFE = 80 @ 10mA, 5V; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25; Uсe, B = 50; Опис Транзистор цифровий; Р, Вт = 0.2; Тексп, °C = -55...+150; SC-75 | на замовлення 200 шт:термін постачання 3 дні (днів) | ||||||||||||||||||||||
|   | DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності |