DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor


1573832988734742dtd113echzg.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTD113ECHZGT116 за ціною від 3.04 грн до 18.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor 1573832988734742dtd113echzg.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1333+10.62 грн
2041+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
37+8.13 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor 1573832988734742dtd113echzg.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+18.94 грн
72+10.57 грн
110+6.90 грн
500+4.90 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 ROHM dtd113echzg-e.pdf Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 ROHM dtd113echzg-e.pdf Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 1573832988734742dtd113echzg.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1333+10.62 грн
2041+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
37+8.13 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 1573832988734742dtd113echzg.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+18.94 грн
72+10.57 грн
110+6.90 грн
500+4.90 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 dtd113echzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116 dtd113echzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.