DTD113EKT146 Rohm Semiconductor
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1495+ | 8.17 грн |
| 1751+ | 6.97 грн |
| 1855+ | 6.58 грн |
| 2000+ | 5.93 грн |
| 3000+ | 5.45 грн |
| 6000+ | 4.99 грн |
| 12000+ | 4.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTD113EKT146 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Produktpalette: DTD113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTD113EKT146 за ціною від 5.96 грн до 40.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTD113EKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTD113EKT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 500MA |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 4199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DTD113EKT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DTD113EKT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DTD113EKT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W |
товару немає в наявності |