Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTD113ZCT116
DTD113ZCT116

DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.22 грн
6000+3.65 грн
9000+3.44 грн
15000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTD113ZCT116 за ціною від 4.57 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
5000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.27 грн
100+8.12 грн
500+6.70 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1061+13.33 грн
1735+8.16 грн
2025+6.99 грн
2305+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 1061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
25+12.01 грн
100+7.49 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 16565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 dtd113zct116-e.pdf
DTD113ZCT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
5000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 dtd113zct116-e.pdf
DTD113ZCT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+13.27 грн
100+8.12 грн
500+6.70 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 dtd113zct116-e.pdf
DTD113ZCT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1061+13.33 грн
1735+8.16 грн
2025+6.99 грн
2305+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 1061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
25+12.01 грн
100+7.49 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 16565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.