DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.95 грн |
| 6000+ | 6.96 грн |
| 9000+ | 6.61 грн |
| 15000+ | 5.83 грн |
| 21000+ | 5.61 грн |
| 30000+ | 5.40 грн |
| 75000+ | 4.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTD113ZKT146 за ціною від 5.12 грн до 41.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 19401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 18922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 126181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTD113ZKT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTD113ZKT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DTD113ZKT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
товару немає в наявності |