Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > DTD513ZE3TL
DTD513ZE3TL

DTD513ZE3TL ROHM Semiconductor

datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.75 грн
14+23.98 грн
100+10.22 грн
1000+8.63 грн
3000+6.42 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTD513ZE3TL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD513Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V.

Інші пропозиції DTD513ZE3TL за ціною від 9.43 грн до 39.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DTD513ZE3TL DTD513ZE3TL ROHM dtd513ze3tl-e.pdf Description: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
39+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL DTD513ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.48 грн
100+14.95 грн
500+10.55 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL DTD513ZE3TL ROHM dtd513ze3tl-e.pdf Description: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL dtd513ze3tl-e.pdf
DTD513ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+33.91 грн
39+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD513ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.61 грн
13+23.48 грн
100+14.95 грн
500+10.55 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL dtd513ze3tl-e.pdf
DTD513ZE3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.