
DTD543ZMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1576+ | 7.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTD543ZMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 260 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTD543ZMT2L за ціною від 5.65 грн до 31.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTD543ZMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTD543ZMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DTD543ZMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товару немає в наявності |