DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 17.96 грн |
| 2000+ | 15.71 грн |
| 3000+ | 14.90 грн |
| 5000+ | 13.13 грн |
| 7000+ | 12.63 грн |
| 10000+ | 12.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Frequency - Transition: 80 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R2 Only.
Інші пропозиції DTDG14GPT100 за ціною від 12.11 грн до 64.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTDG14GPT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only |
на замовлення 10862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM |
SOT-89 09+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SC62; SOT89 Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DTDG14GPT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SC62; SOT89 Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |