DTDG23YPT100 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 29.29 грн |
500+ | 21.46 грн |
1000+ | 19.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTDG23YPT100 ROHM
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-89, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTDG23YPT100 за ціною від 15.57 грн до 52.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTDG23YPT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-89 productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DTDG23YPT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DTDG23YPT100 | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 60V 1A |
на замовлення 6004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DTDG23YPT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR | DTDG23YPT100 NPN SMD transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
DTDG23YPT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
товар відсутній |