DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.73 грн |
| 5000+ | 9.81 грн |
| 12500+ | 9.11 грн |
| 25000+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DXT13003DG-13 за ціною від 9.61 грн до 41.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 25329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |