DXT13003DG-13 Diodes Incorporated


DXT13003DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.83 грн
5000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT13003DG-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1.3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DXT13003DG-13 за ціною від 12.16 грн до 48.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Diodes Incorporated DXT13003DG.pdf Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
11+29.34 грн
100+18.92 грн
500+13.53 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Diodes Incorporated DXT13003DG.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 DIODES INC. DXT13003DG.pdf Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 DIODES INC. DXT13003DG.pdf Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 Diodes Zetex DXT13003DG.pdf Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.71 грн
11+29.34 грн
100+18.92 грн
500+13.53 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT13003DG-13 DXT13003DG.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.