DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.68 грн |
| 5000+ | 11.16 грн |
| 7500+ | 10.63 грн |
| 12500+ | 9.42 грн |
| 17500+ | 9.08 грн |
| 25000+ | 8.76 грн |
| 62500+ | 8.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DXT13003DG-13 за ціною від 9.86 грн до 60.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 67818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DXT13003DG-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV |
на замовлення 3947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT13003DG-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223 Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 450V Current gain: 5...40 Collector current: 1.3A Pulsed collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223 Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 450V Current gain: 5...40 Collector current: 1.3A Pulsed collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT223 |
товару немає в наявності |