DXT13003EK-13

DXT13003EK-13 Diodes Incorporated


DXT13003EK.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
на замовлення 6298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.19 грн
10+ 43.99 грн
100+ 28.57 грн
500+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT13003EK-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V, Power - Max: 1.6 W.

Інші пропозиції DXT13003EK-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DXT13003EK-13 DXT13003EK-13 Виробник : Diodes Inc dxt13003ek.pdf Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DXT13003EK-13 DXT13003EK-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT13003EK.pdf Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
товар відсутній