Продукція > DIODES INCORPORATED > DXT2010P5-13
DXT2010P5-13
DXT2010P5-13
DXT2010P5-13DXT2010P5-13

DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED

ds32011.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
Collector current: 6A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.43 грн
12+37.39 грн
75+25.87 грн
100+24.79 грн
250+21.89 грн
500+20.23 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3.2 W.

Інші пропозиції DXT2010P5-13 за ціною від 33.10 грн до 83.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 Diodes Incorporated ds32011.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.69 грн
10+50.37 грн
100+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 Diodes Incorporated ds32011.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 11903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 DIODES INC. DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 DIODES INC. DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 ds32011.pdf
DXT2010P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.69 грн
10+50.37 грн
100+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 ds32011.pdf
DXT2010P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 11903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DXT2010P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2010P5-13 DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DXT2010P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.