

DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Frequency: 130MHz
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Collector current: 6A
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 89.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3.2 W.
Інші пропозиції DXT2010P5-13 за ціною від 20.19 грн до 98.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DXT2010P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DXT2010P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 3.2 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DXT2010P5-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.90 грн |
| 10+ | 53.77 грн |
| 25+ | 45.15 грн |
| 50+ | 37.35 грн |
| 100+ | 33.13 грн |
| DXT2010P5-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.34 грн |
| 10+ | 45.32 грн |
| 100+ | 34.97 грн |
| 500+ | 25.88 грн |
| 1000+ | 22.40 грн |
| 2500+ | 21.07 грн |
| 5000+ | 20.19 грн |
| DXT2010P5-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DXT2010P5-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




