DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI®5
Pulsed collector current: 20A
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 5000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 61.11 грн |
| 12+ | 35.73 грн |
| 75+ | 24.38 грн |
| 100+ | 23.18 грн |
| 500+ | 17.74 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT2010P5-13 DIODES INCORPORATED
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3.2 W.
Інші пропозиції DXT2010P5-13 за ціною від 13.89 грн до 79.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
DXT2010P5-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 3.2W Case: PowerDI®5 Pulsed collector current: 20A Current gain: 20...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 5000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT2010P5-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT2010P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT2010P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A |
на замовлення 6405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DXT2010P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
на замовлення 211147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|