DXT2012P5-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26.74 грн |
500+ | 20.24 грн |
1000+ | 16.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT2012P5-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DXT2012P5-13 за ціною від 13.88 грн до 48.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A |
на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXT2012P5-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
товар відсутній |