DXT2012P5-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 17.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT2012P5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DXT2012P5-13 за ціною від 15.15 грн до 79.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DXT2012P5-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DXT2012P5-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DXT2012P5-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|