DXT2012P5-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT2012P5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DXT2012P5-13 за ціною від 17.67 грн до 91.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W |
на замовлення 9657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DXT2012P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DXT2012P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DXT2012P5-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 9657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.88 грн |
| 10+ | 49.34 грн |
| 25+ | 41.45 грн |
| 50+ | 34.25 грн |
| 100+ | 30.33 грн |
| DXT2012P5-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.44 грн |
| 10+ | 41.50 грн |
| 100+ | 31.65 грн |
| 500+ | 28.02 грн |
| 1000+ | 25.14 грн |
| 2500+ | 22.18 грн |
| 5000+ | 17.67 грн |
| DXT2012P5-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DXT2012P5-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




