DXT2013P5-13 Diodes Incorporated


ds32010.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.98 грн
10000+16.07 грн
15000+15.43 грн
25000+13.81 грн
35000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DXT2013P5-13 за ціною від 18.15 грн до 76.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Diodes Incorporated ds32010.pdf Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.34 грн
100+30.31 грн
500+21.98 грн
1000+19.90 грн
2000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Diodes Incorporated ds32010.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. ds32010.pdf Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. ds32010.pdf Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.72 грн
10+46.34 грн
100+30.31 грн
500+21.98 грн
1000+19.90 грн
2000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.