Продукція > DIODES INCORPORATED > DXT2013P5-13
DXT2013P5-13

DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

ds32010.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.79 грн
10000+16.76 грн
15000+16.09 грн
25000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DXT2013P5-13 за ціною від 15.51 грн до 81.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Виробник : DIODES INC. DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.47 грн
500+23.62 грн
1000+16.80 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Виробник : DIODES INC. DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.58 грн
18+49.37 грн
100+30.47 грн
500+23.62 грн
1000+16.80 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32010.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.99 грн
10+48.53 грн
100+27.55 грн
500+21.26 грн
1000+17.48 грн
5000+15.59 грн
10000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32010.pdf Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.75 грн
10+48.88 грн
100+31.90 грн
500+23.07 грн
1000+20.86 грн
2000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Виробник : Diodes Inc ds32010.pdf Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.