Продукція > DIODES INCORPORATED > DXT2013P5-13
DXT2013P5-13

DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

ds32010.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.45 грн
10000+15.57 грн
15000+14.95 грн
25000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXT2013P5-13 за ціною від 15.96 грн до 79.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. ds32010.pdf Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.92 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Diodes Incorporated ds32010.pdf Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.41 грн
100+29.64 грн
500+21.43 грн
1000+19.38 грн
2000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.35 грн
17+48.82 грн
100+31.92 грн
500+22.78 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Diodes Incorporated ds32010.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.75 грн
10+49.25 грн
100+28.06 грн
500+21.73 грн
1000+17.93 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
DXT2013P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.92 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
DXT2013P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 204295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.95 грн
10+45.41 грн
100+29.64 грн
500+21.43 грн
1000+19.38 грн
2000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DXT2013P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.35 грн
17+48.82 грн
100+31.92 грн
500+22.78 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2013P5-13 ds32010.pdf
DXT2013P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.75 грн
10+49.25 грн
100+28.06 грн
500+21.73 грн
1000+17.93 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.