Продукція > DIODES ZETEX > DXT2222A-13
DXT2222A-13

DXT2222A-13 Diodes Zetex

ds31156.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2222A-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXT2222A-13 за ціною від 17.73 грн до 49.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.84 грн
11+29.56 грн
25+24.62 грн
50+20.19 грн
100+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 27287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 DIODES INC. DXT2222A.pdf Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 DIODES INC. DXT2222A.pdf Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A.pdf
DXT2222A-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.84 грн
11+29.56 грн
25+24.62 грн
50+20.19 грн
100+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A.pdf
DXT2222A-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 27287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A.pdf
DXT2222A-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A.pdf
DXT2222A-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.