DXT2222A-13

DXT2222A-13 Diodes Zetex


ds31156.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT2222A-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DXT2222A-13 за ціною від 5.29 грн до 38.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+6.94 грн
5000+6.07 грн
7500+5.75 грн
12500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : DIODES INC. 2814438.pdf Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.02 грн
500+9.02 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
на замовлення 61369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.78 грн
22+15.70 грн
100+8.95 грн
1000+8.29 грн
2500+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : DIODES INC. 2814438.pdf Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.61 грн
35+24.20 грн
100+12.02 грн
500+9.02 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 277322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
14+22.48 грн
100+14.31 грн
500+10.09 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : Diodes Inc 4525597980924562ds31156.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 DXT2222A-13 Виробник : Diodes Zetex ds31156.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXT2222A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT2222A-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXT2222A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.