Продукція > DIODES ZETEX > DXT5551P5-13
DXT5551P5-13

DXT5551P5-13 Diodes Zetex

dxt5551p5.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT5551P5-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.25W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DXT5551P5-13 за ціною від 9.76 грн до 57.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : DIODES INC. DIODS13335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.36 грн
250+14.41 грн
1000+13.23 грн
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 19591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.06 грн
15+22.96 грн
100+13.87 грн
500+10.86 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : DIODES INC. DIODS13335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.64 грн
50+18.36 грн
250+14.41 грн
1000+13.23 грн
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 293491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+34.48 грн
100+22.25 грн
500+15.92 грн
1000+14.32 грн
2000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Виробник : Diodes Inc dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXT5551P5.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI®5
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXT5551P5.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI®5
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.