Продукція > DIODES ZETEX > DXT5551P5-13
DXT5551P5-13

DXT5551P5-13 Diodes Zetex

dxt5551p5.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT5551P5-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DXT5551P5-13 за ціною від 12.62 грн до 62.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.63 грн
10+37.45 грн
100+24.30 грн
500+17.48 грн
1000+15.76 грн
2000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 DIODES INC. DXT5551P5.pdf Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 DIODES INC. DXT5551P5.pdf Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 dxt5551p5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 dxt5551p5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.63 грн
10+37.45 грн
100+24.30 грн
500+17.48 грн
1000+15.76 грн
2000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13 DXT5551P5.pdf
DXT5551P5-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.