Продукція > DIODES INCORPORATED > DXT651-13
DXT651-13

DXT651-13 Diodes Incorporated

ds31184.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT651-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXT651-13 за ціною від 11.04 грн до 63.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT651-13 DXT651-13 DIODES INC. ds31184.pdf Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.52 грн
500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.66 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Diodes Incorporated ds31184.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.71 грн
10+37.20 грн
100+20.96 грн
500+16.03 грн
1000+14.42 грн
2500+12.66 грн
5000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 DIODES INC. ds31184.pdf Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.18 грн
22+38.48 грн
100+25.52 грн
500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 ds31184.pdf
DXT651-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.52 грн
500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 ds31184.pdf
DXT651-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.75 грн
10+34.66 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 ds31184.pdf
DXT651-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.71 грн
10+37.20 грн
100+20.96 грн
500+16.03 грн
1000+14.42 грн
2500+12.66 грн
5000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 ds31184.pdf
DXT651-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.18 грн
22+38.48 грн
100+25.52 грн
500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.