Продукція > DIODES ZETEX > DXT651-13
DXT651-13

DXT651-13 Diodes Zetex

ds31184.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.47 грн
5000+12.35 грн
12500+12.22 грн
25000+11.67 грн
62500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT651-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXT651-13 за ціною від 10.84 грн до 62.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Zetex ds31184.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.26 грн
212500+13.02 грн
425000+12.12 грн
637500+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : DIODES INC. ds31184.pdf Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.06 грн
500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.72 грн
10+34.05 грн
100+21.98 грн
500+15.76 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.63 грн
10+36.54 грн
100+20.58 грн
500+15.75 грн
1000+14.16 грн
2500+12.43 грн
5000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : DIODES INC. ds31184.pdf Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+62.05 грн
22+37.79 грн
100+25.06 грн
500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Zetex ds31184.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31184.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 2W
Current gain: 40...300
Collector-emitter voltage: 60V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 140...200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.