DXTN03060CFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
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Технічний опис DXTN03060CFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DXTN03060CFG-7 за ціною від 12.94 грн до 74.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DXTN03060CFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DXTN03060CFG-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DXTN03060CFG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 2.7W
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.28 грн |
| 500+ | 21.64 грн |
| 1000+ | 18.07 грн |
| DXTN03060CFG-7 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 38.17 грн |
| 100+ | 24.81 грн |
| 500+ | 17.91 грн |
| 1000+ | 16.18 грн |
| DXTN03060CFG-7 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.03 грн |
| 10+ | 41.25 грн |
| 100+ | 23.35 грн |
| 500+ | 17.93 грн |
| 1000+ | 16.25 грн |
| 2000+ | 14.70 грн |
| 4000+ | 12.94 грн |
| DXTN03060CFG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 6A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 74.42 грн |
| 18+ | 46.44 грн |
| 100+ | 30.28 грн |
| 500+ | 21.64 грн |
| 1000+ | 18.07 грн |