Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN10060DFJBQ-7
DXTN10060DFJBQ-7

DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated

DXTN10060DFJBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.50 грн
6000+8.77 грн
9000+7.89 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.8 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DXTN10060DFJBQ-7 за ціною від 9.32 грн до 35.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN10060DFJBQ-7 DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated DXTN10060DFJBQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
12+26.28 грн
100+15.78 грн
500+13.71 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7 DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated DXTN10060DFJBQ.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7 DXTN10060DFJBQ.pdf
DXTN10060DFJBQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.60 грн
12+26.28 грн
100+15.78 грн
500+13.71 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBQ-7 DXTN10060DFJBQ.pdf
DXTN10060DFJBQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.