DXTN10060DFJBWQ-7

DXTN10060DFJBWQ-7 Diodes Incorporated


DXTN10060DFJBWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.21 грн
6000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN10060DFJBWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: WDFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DXTN10060DFJBWQ-7 за ціною від 10.30 грн до 35.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN10060DFJBWQ-7 DXTN10060DFJBWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600098-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.71 грн
500+15.17 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7 DXTN10060DFJBWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTN10060DFJBWQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
11+28.43 грн
100+21.24 грн
500+15.66 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7 DXTN10060DFJBWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009600098-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.74 грн
28+29.71 грн
100+20.71 грн
500+15.17 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN10060DFJBWQ-7 DXTN10060DFJBWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600098_1-2543327.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.53 грн
12+30.12 грн
100+18.24 грн
500+14.27 грн
1000+11.62 грн
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.