DXTN22040CFGQ-7 Diodes Incorporated


DXTN22040CFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.66 грн
6000+14.29 грн
10000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN22040CFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DXTN22040CFGQ-7 за ціною від 15.89 грн до 41.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ-7 Diodes Incorporated DXTN22040CFGQ.pdf Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
10+34.40 грн
100+23.82 грн
500+18.68 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ-7 DIODES INC. DXTN22040CFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ-7 DIODES INC. DXTN22040CFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
10+34.40 грн
100+23.82 грн
500+18.68 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.