Продукція > DIODES INC. > DXTN3C100PSQ-13
DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0009691813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.80 грн
500+19.82 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXTN3C100PSQ-13 за ціною від 12.77 грн до 68.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.91 грн
10+35.80 грн
100+23.23 грн
500+16.74 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.37 грн
10+38.16 грн
100+21.58 грн
500+16.59 грн
1000+14.95 грн
2500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.82 грн
19+42.77 грн
100+27.80 грн
500+19.82 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dxtn3c100psq.pdf NPN Low Sat Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXTN3C100PSQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 2.5W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI®5060-8
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.