Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ.pdf
Код товару: 220151
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DXTN3C100PSQ-13 за ціною від 15.24 грн до 60.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+36.12 грн
100+23.44 грн
500+16.88 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ.pdf
DXTN3C100PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+36.12 грн
100+23.44 грн
500+16.88 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ.pdf
DXTN3C100PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ.pdf
DXTN3C100PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ.pdf
DXTN3C100PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TPS40210DRCR
Код товару: 218447
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps40210
Мікросхеми > Мікроконтролери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM51551DSSR
Код товару: 218444
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm5155
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS131A04IPBS мікросхема
Код товару: 214039
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR-516AD
Код товару: 125297
Додати до обраних Обраний товар
R516AD.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFH203PFA
Код товару: 124243
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Osram
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Напруга колектор-емітер Vceo, В: 50 В
Спектральний діапазон 0.5, нм: 750-1100 нм
Спектральний пік, нм: 900 нм
Час наростання/спаду Ton/Tof, мкс: 0,005/0,005 µc
Додатково: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
у наявності: 22 шт
  • 10 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.