Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN3C60PS-13
DXTN3C60PS-13

DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated

DXTN3C60PS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.25 грн
10+56.05 грн
100+32.28 грн
500+25.39 грн
1000+22.93 грн
2500+20.54 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2.25 W.

Інші пропозиції DXTN3C60PS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN3C60PS-13 DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PS.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13 DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PS.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13 DXTN3C60PS.pdf
DXTN3C60PS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PS-13 DXTN3C60PS.pdf
DXTN3C60PS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.