Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN3C60PSQ-13
DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

DXTN3C60PSQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.05 грн
5000+13.30 грн
7500+12.70 грн
12500+11.28 грн
17500+10.90 грн
25000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DXTN3C60PSQ-13 за ціною від 12.10 грн до 70.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C60PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.63 грн
500+20.42 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+36.49 грн
100+23.70 грн
500+17.07 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691461_1-2543336.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.24 грн
10+39.30 грн
100+22.22 грн
500+17.09 грн
1000+15.40 грн
2500+13.57 грн
5000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C60PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.97 грн
19+44.06 грн
100+28.63 грн
500+20.42 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.63 грн
500+20.42 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.92 грн
10+36.49 грн
100+23.70 грн
500+17.07 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DIOD_S_A0009691461_1-2543336.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.24 грн
10+39.30 грн
100+22.22 грн
500+17.09 грн
1000+15.40 грн
2500+13.57 грн
5000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.97 грн
19+44.06 грн
100+28.63 грн
500+20.42 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.