Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN3C60PSQ-13
DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

DXTN3C60PSQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.52 грн
7500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції DXTN3C60PSQ-13 за ціною від 17.19 грн до 81.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.82 грн
10+44.86 грн
25+37.55 грн
50+30.98 грн
100+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+81.48 грн
10+36.67 грн
100+28.16 грн
500+25.45 грн
1000+22.60 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.82 грн
10+44.86 грн
25+37.55 грн
50+30.98 грн
100+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.48 грн
10+36.67 грн
100+28.16 грн
500+25.45 грн
1000+22.60 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DIOD-S-A0009691461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DIOD-S-A0009691461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.