Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN58100CFDB-7
DXTN58100CFDB-7

DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated

DXTN58100CFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
10+33.01 грн
100+22.96 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 690 mW.

Інші пропозиції DXTN58100CFDB-7 за ціною від 11.39 грн до 61.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN58100CFDB-7 DXTN58100CFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600114_1-2543169.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.36 грн
10+37.40 грн
100+21.05 грн
500+17.13 грн
1000+14.79 грн
3000+12.38 грн
6000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN58100CFDB-7 DXTN58100CFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTN58100CFDB.pdf Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.