DXTN5840CFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.71 грн |
| 6000+ | 11.23 грн |
| 9000+ | 10.71 грн |
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Технічний опис DXTN5840CFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DXTN5840CFDB-7 за ціною від 13.36 грн до 53.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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DXTN5840CFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3 Power - Max: 690 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DXTN5840CFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DXTN5840CFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DXTN5840CFDB-7 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.47 грн |
| 10+ | 32.09 грн |
| 100+ | 20.70 грн |
| 500+ | 14.84 грн |
| 1000+ | 13.36 грн |
| DXTN5840CFDB-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DXTN5840CFDB-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)