DXTN5860DFDB-7

DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated


DXTN5860DFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.73 грн
6000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 115MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 690 mW.

Інші пропозиції DXTN5860DFDB-7 за ціною від 12.05 грн до 57.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN5860DFDB-7 DXTN5860DFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTN5860DFDB.pdf Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
10+34.63 грн
100+22.37 грн
500+16.04 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7 Виробник : Diodes Zetex dxtn5860dfdb.pdf 60V NPN Low Saturation Transistor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7 Виробник : Diodes Zetex dxtn5860dfdb.pdf 60V NPN Low Saturation Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN5860DFDB-7 DXTN5860DFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTN5860DFDB.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.