DXTP03060BFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 17.54 грн |
| 4000+ | 15.49 грн |
| 6000+ | 14.77 грн |
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Технічний опис DXTP03060BFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції DXTP03060BFG-7 за ціною від 15.89 грн до 41.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.07 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DXTP03060BFG-7 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.07 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.07 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 10+ | 34.40 грн |
| 100+ | 23.80 грн |
| 500+ | 18.67 грн |
| 1000+ | 15.89 грн |
| DXTP03060BFG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DXTP03060BFG-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)