DXTP03200BP5-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.49 грн |
| 10+ | 46.94 грн |
| 100+ | 30.83 грн |
| 500+ | 22.45 грн |
| 1000+ | 20.36 грн |
| 2000+ | 18.60 грн |
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Технічний опис DXTP03200BP5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DXTP03200BP5-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DXTP03200BP5-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI5
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Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DXTP03200BP5-13 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DXTP03200BP5-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: PowerDI5
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)