Продукція > DIODES INC. > DXTP3C100PSQ-13
DXTP3C100PSQ-13

DXTP3C100PSQ-13 DIODES INC.

DXTP3C100PSQ.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.37 грн
500+17.90 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTP3C100PSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DXTP3C100PSQ-13 за ціною від 14.27 грн до 67.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737041_1-2542698.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.65 грн
10+43.41 грн
100+26.24 грн
500+20.49 грн
1000+16.73 грн
2500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTP3C100PSQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.74 грн
10+38.68 грн
100+25.14 грн
500+18.11 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INC. DXTP3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.83 грн
21+42.09 грн
100+27.37 грн
500+17.90 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Inc dxtp3c100psq.pdf Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTP3C100PSQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.