Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTP3C100PSQ-13
DXTP3C100PSQ-13

DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated

DXTP3C100PSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.29 грн
5000+13.97 грн
12500+12.98 грн
25000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DXTP3C100PSQ-13 за ціною від 11.86 грн до 49.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.25 грн
500+14.68 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DXTP3C100PSQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
10+37.31 грн
100+25.95 грн
500+19.02 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INC. DXTP3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.85 грн
28+29.89 грн
100+19.76 грн
500+14.22 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737041_1-2542698.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.40 грн
10+41.52 грн
100+25.10 грн
500+19.60 грн
1000+16.00 грн
2500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 Виробник : Diodes Inc dxtp3c100psq.pdf Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C100PSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DXTP3C100PSQ.pdf DXTP3C100PSQ-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.