DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 11+ | 27.39 грн |
| 100+ | 20.45 грн |
| 500+ | 15.08 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN, Power - Max: 690 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: U-DFN2020-3, Frequency - Transition: 135MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DXTP58100CFDB-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DXTP58100CFDB-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)