Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTP58100CFDB-7
DXTP58100CFDB-7

DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0011114891_1-2543508.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.42 грн
12+28.98 грн
100+17.58 грн
500+13.66 грн
1000+11.17 грн
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 135MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 690 mW.

Інші пропозиції DXTP58100CFDB-7 за ціною від 12.27 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTP58100CFDB-7 DXTP58100CFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTP58100CFDB.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
11+28.85 грн
100+21.54 грн
500+15.88 грн
1000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7 DXTP58100CFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTP58100CFDB.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.