Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTP5840CFDB-7
DXTP5840CFDB-7

DXTP5840CFDB-7 Diodes Incorporated

DXTP5840CFDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.76 грн
9000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTP5840CFDB-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 135MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 690 mW.

Інші пропозиції DXTP5840CFDB-7 за ціною від 14.60 грн до 71.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DXTP5840CFDB-7 DXTP5840CFDB-7 Diodes Incorporated DXTP5840CFDB.pdf Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 9725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.83 грн
10+41.95 грн
25+35.06 грн
50+28.88 грн
100+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7 DXTP5840CFDB-7 Diodes Incorporated DXTP5840CFDB.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 16 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+71.71 грн
10+32.36 грн
100+24.83 грн
500+22.80 грн
1000+20.92 грн
3000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7 DXTP5840CFDB.pdf
DXTP5840CFDB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 9725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.83 грн
10+41.95 грн
25+35.06 грн
50+28.88 грн
100+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7 DXTP5840CFDB.pdf
DXTP5840CFDB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 16 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.71 грн
10+32.36 грн
100+24.83 грн
500+22.80 грн
1000+20.92 грн
3000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.