DXTP78030DFGQ-7 Diodes Incorporated


DXTP78030DFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTP78030DFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 315MHz, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2.4 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DXTP78030DFGQ-7 за ціною від 13.08 грн до 67.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP78030DFGQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.54 грн
16+21.19 грн
100+14.91 грн
500+14.14 грн
1000+13.64 грн
2000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP78030DFGQ.pdf Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+40.30 грн
100+26.25 грн
500+18.93 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
16+21.19 грн
100+14.91 грн
500+14.14 грн
1000+13.64 грн
2000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.25 грн
10+40.30 грн
100+26.25 грн
500+18.93 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.