Технічний опис DZT5401-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DZT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DZT5401-13 за ціною від 7.15 грн до 47.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DZT5401-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP |
на замовлення 100530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5401-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DZT5401-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 100765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DZT5401-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo |
на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DZT5401-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DZT5401-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 64 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DZT5401-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
на замовлення 100530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.16 грн |
| 5000+ | 9.80 грн |
| 7500+ | 9.32 грн |
| 12500+ | 8.24 грн |
| 17500+ | 7.94 грн |
| 25000+ | 7.65 грн |
| 62500+ | 7.15 грн |
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 15.85 грн |
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 11+ | 28.13 грн |
| 100+ | 18.05 грн |
| 500+ | 12.84 грн |
| 1000+ | 11.52 грн |
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo
Bipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DZT5401-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




