Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > DZT5551-13

DZT5551-13

ds31219.pdf
Код товару: 131145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 8.64 грн до 57.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.62 грн
7500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.60 грн
5000+11.90 грн
7500+11.19 грн
12500+10.67 грн
17500+9.81 грн
25000+9.07 грн
62500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.68 грн
5000+11.97 грн
7500+11.24 грн
12500+10.73 грн
17500+9.87 грн
25000+9.12 грн
62500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+22.50 грн
500+19.29 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 80...250
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.27 грн
13+34.57 грн
15+29.82 грн
25+24.48 грн
50+21.10 грн
100+9.66 грн
274+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.05 грн
10+31.80 грн
25+26.53 грн
50+21.78 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.28 грн
13+25.47 грн
100+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.62 грн
7500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.60 грн
5000+11.90 грн
7500+11.19 грн
12500+10.67 грн
17500+9.81 грн
25000+9.07 грн
62500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.68 грн
5000+11.97 грн
7500+11.24 грн
12500+10.73 грн
17500+9.87 грн
25000+9.12 грн
62500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+22.50 грн
500+19.29 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 80...250
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.27 грн
13+34.57 грн
15+29.82 грн
25+24.48 грн
50+21.10 грн
100+9.66 грн
274+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.05 грн
10+31.80 грн
25+26.53 грн
50+21.78 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.28 грн
13+25.47 грн
100+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 1915891.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 1915891.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.