DZT5551-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DZT5551-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 7.63 грн до 51.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DZT5551-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DZT5551-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 2500pcs. |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DZT5551-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo |
на замовлення 11072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DZT5551-13 Код товару: 131145
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |