Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 8.43 грн до 48.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DZT5551-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5551-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5551-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5551-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5551-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223 Mounting: SMD Manufacturer standard package: 2500pcs. Collector-emitter voltage: 160V Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 80...250 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Frequency: 300MHz Collector current: 0.6A |
на замовлення 917 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DZT5551-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo |
на замовлення 11072 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DZT5551-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DZT5551-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.28 грн |
| 5000+ | 11.62 грн |
| 7500+ | 10.92 грн |
| 12500+ | 10.42 грн |
| 17500+ | 9.58 грн |
| 25000+ | 8.86 грн |
| 62500+ | 8.43 грн |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.36 грн |
| 5000+ | 11.68 грн |
| 7500+ | 10.98 грн |
| 12500+ | 10.48 грн |
| 17500+ | 9.63 грн |
| 25000+ | 8.90 грн |
| 62500+ | 8.47 грн |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 431+ | 21.97 грн |
| 500+ | 18.84 грн |
| 1000+ | 10.70 грн |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 650+ | 21.97 грн |
| DZT5551-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 80...250
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 80...250
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.10 грн |
| 13+ | 33.75 грн |
| 15+ | 29.11 грн |
| 25+ | 23.90 грн |
| 50+ | 20.59 грн |
| 100+ | 9.43 грн |
| 275+ | 8.93 грн |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.57 грн |
| 11+ | 29.50 грн |
| 100+ | 15.68 грн |
| 500+ | 12.39 грн |
| 1000+ | 11.07 грн |
| 2500+ | 9.67 грн |
| 5000+ | 8.50 грн |
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DZT5551-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





