Продукція > DIODES INC > DZT5551-13
DZT5551-13

DZT5551-13 Diodes Inc

ds31219.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DZT5551-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 7.47 грн до 56.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.38 грн
5000+10.00 грн
7500+9.51 грн
12500+8.40 грн
17500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.77 грн
5000+10.29 грн
7500+9.68 грн
12500+9.23 грн
17500+8.49 грн
25000+7.85 грн
62500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.68 грн
5000+11.09 грн
7500+10.42 грн
12500+9.94 грн
17500+9.14 грн
25000+8.45 грн
62500+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
431+20.85 грн
500+17.88 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.41 грн
500+15.31 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.10 грн
15+28.37 грн
50+19.71 грн
100+16.80 грн
500+11.98 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 19940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.38 грн
12+28.70 грн
100+18.41 грн
500+13.10 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.52 грн
10+35.35 грн
50+23.66 грн
100+20.16 грн
500+14.37 грн
1000+12.78 грн
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31219-3215038.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.92 грн
12+32.14 грн
100+17.09 грн
500+13.50 грн
1000+12.06 грн
2500+10.54 грн
5000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Виробник : DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.17 грн
50+34.67 грн
100+21.41 грн
500+15.31 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13
Код товару: 131145
Додати до обраних Обраний товар

ds31219.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 Виробник : onsemi / Fairchild ds31219.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.