Продукція > DIODES ZETEX > DZT5551-13

DZT5551-13 Diodes Zetex

Name: DZT5551-13
Brand: Diodes Zetex
SKU: 23751176-5
Price: 18425 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 117500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	7.37 грн
50000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DZT5551-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 7.45 грн до 47.34 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DZT5551-13

Виробник : Diodes Inc

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	7.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 117500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	8.00 грн
50000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	11.16 грн
5000+	9.80 грн
7500+	9.32 грн
12500+	8.24 грн
17500+	7.94 грн
25000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
468+	14.13 грн
1000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
804+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 804

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	17.44 грн
500+	14.07 грн
1000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	26.24 грн
21+	19.18 грн
50+	15.88 грн
100+	14.46 грн
104+	9.04 грн
284+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	30.73 грн
50+	22.86 грн
100+	17.44 грн
500+	14.07 грн
1000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	31.49 грн
13+	23.90 грн
50+	19.05 грн
100+	17.36 грн
104+	10.85 грн
284+	10.19 грн
2500+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo

на замовлення 17699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	31.78 грн
15+	23.34 грн
100+	15.17 грн
500+	13.05 грн
1000+	11.02 грн
2500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 35694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	47.34 грн
12+	28.14 грн
100+	18.05 грн
500+	12.84 грн
1000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13
Код товару: 131145

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.