Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > DZT5551-13

DZT5551-13

ds31219.pdf
Код товару: 131145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DZT5551-13 за ціною від 8.36 грн до 47.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.16 грн
5000+11.51 грн
7500+10.82 грн
12500+10.33 грн
17500+9.50 грн
25000+8.78 грн
62500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.24 грн
5000+11.58 грн
7500+10.88 грн
12500+10.38 грн
17500+9.55 грн
25000+8.83 грн
62500+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+21.77 грн
500+18.67 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
13+33.16 грн
16+27.36 грн
25+19.98 грн
50+15.75 грн
100+12.85 грн
125+12.19 грн
500+9.78 грн
650+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.36 грн
100+18.18 грн
500+12.93 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219-3215038.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.16 грн
5000+11.51 грн
7500+10.82 грн
12500+10.33 грн
17500+9.50 грн
25000+8.78 грн
62500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.24 грн
5000+11.58 грн
7500+10.88 грн
12500+10.38 грн
17500+9.55 грн
25000+8.83 грн
62500+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+21.77 грн
500+18.67 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
13+33.16 грн
16+27.36 грн
25+19.98 грн
50+15.75 грн
100+12.85 грн
125+12.19 грн
500+9.78 грн
650+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
11+28.36 грн
100+18.18 грн
500+12.93 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219-3215038.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 1915891.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 1915891.pdf
DZT5551-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.